primera generacion(bulbos;1946-1959)
Lenguaje Bajo Nivel
con fines cientificos
capacidad de almacenamiento primario: 2048 caracteres nuestros
capacidad de almacenamiento secundario:102,400 a 20,480,000 caracteres nuestros.
velocidad de acceso a los datos en la memoria: 100,000 microsegundos.
Segunda Generacion:(transitores 1959-1965)
lenguaje alto nivel
fines cientificos
capacidad de almacenamiento primario: 8,192 a 231, 424 caracteres nuestros.
capacidad de almacenamiento secundario: 819, 200 a 307, 200,000 caracteres nuestros
velocidad de acceso a los datos en la memoria: 100 microsegundos
Tercera Generacion:(circuitos integrados, 1965-1970)
lenguaje alto nivel
capacidad de almacenamiento primario: 10, 380 a 1,024,000 caracteres nuestros
capacidad de almacenamiento secundario: 1,638,400-10 , 240,000,000 caracteres nuestros.
velocidad de acceso a los datos en la memoria: 2 microsegundos.
Se comenzo a comercializar.
Cuarta generacion:(Very large integrattion 1970)
tiene los mismo principios que la tercera generacion, pero en esta generacion los circuitos integrados tienen mayor capacidad de almacenamiento y son de menor tamaño, por lo tanto ocupan menos espacio y consumen menor cantidad de energia.
http://www.youtube.com/watch?v=tjaWHQCV9X0
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